Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

TK39N60W5,S1VF

Name: Toshiba TK39N60W5,S1VF
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK39N60W5S1VF
Price: 6.26 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

757-TK39N60W5S1VF

N. produttore:

TK39N60W5,S1VF

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET Power MOSFET N-Channel

Scheda dati:

TK39N60W5,S1VF Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Toshiba TK39N60W5,S1VF

A magazzino: 4.415

A magazzino:: 4.415 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 18 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,26 €	6,26 €
	3,81 €	38,10 €
	3,51 €	421,20 €
	3,06 €	1.560,60 €
	2,99 €	7.534,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	38.8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	62 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	135 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	270 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	DTMOSIV
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	120 ns
Serie:	TK39N60W5
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	200 ns
Tipico ritardo di accensione:	180 ns
Peso unità:	6 g

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

TK39N60W5,S1VF Scheda dati (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.