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TK20V60W5,LVQ

Name: Toshiba TK20V60W5,LVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK20V60W5LVQ
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK20V60W5LVQ

N. produttore:

TK20V60W5,LVQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET Power MOSFET N-Channel

Scheda dati:

TK20V60W5,LVQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	3,53 €	3,53 €
	2,71 €	27,10 €
	1,94 €	194,00 €
	1,82 €	910,00 €
	1,64 €	1.640,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	1,55 €	3.875,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN8x8-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	156 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	55 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	156 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	DTMOSIV
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	45 ns
Serie:	TK20V60W5
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	100 ns
Tipico ritardo di accensione:	90 ns
Peso unità:	175 mg

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TK20V60W5,LVQ Scheda dati (PDF)

Application Notes

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Product Catalogs

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.