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TK12A80W,S4X

Name: Toshiba TK12A80W,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK12A80WS4X
Price: 3.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK12A80WS4X

N. produttore:

TK12A80W,S4X

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

Scheda dati:

TK12A80W,S4X Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	800 V
Id - corrente di drain continua:	11.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	380 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	23 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	45 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	DTMOSIV
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	40 ns
Serie:	TK12A80W
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	130 ns
Tipico ritardo di accensione:	70 ns
Peso unità:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.