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TK115U65Z5,RQ

Name: Toshiba TK115U65Z5,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK115U65Z5RQ
Price: 4.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK115U65Z5RQ

N. produttore:

TK115U65Z5,RQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

TK115U65Z5,RQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	4,99 €	4,99 €
	3,57 €	35,70 €
	2,58 €	258,00 €
	2,56 €	1.280,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	2,18 €	4.360,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TOLL-9
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	115 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	42 nC
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	190 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	14 ns
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	83 ns
Tipico ritardo di accensione:	45 ns

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Scheda dati

TK115U65Z5,RQ Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N in silicio TKx

I MOSFET a canale N in silicio TKx di Toshiba sono disponibili nei tipi U-MOSX-H e DTMOSVI e offrono caratteristiche prestazionali eccezionali. Questi MOSFET sono progettati con tempi di recupero inverso rapidi che migliorano l'efficienza nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità riducendo il ritardo tra gli stati di spegnimento e accensione. La bassa resistenza in conduzione drain-source [R_DS(on)] contribuisce a minimizzare le perdite di potenza e a migliorare la gestione termica, rendendoli ideali per applicazioni che richiedono la gestione di alta corrente con bassa dissipazione di energia.