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TK10A60W5,S5VX

Name: Toshiba TK10A60W5,S5VX
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK10A60W5S5VX
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK10A60W5S5VX

N. produttore:

TK10A60W5,S5VX

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET Power MOSFET N-Channel

Scheda dati:

TK10A60W5,S5VX Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	9.7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	350 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	25 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	30 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	DTMOSIV
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5.5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	40 ns
Serie:	TK10A60W
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	85 ns
Tipico ritardo di accensione:	75 ns
Peso unità:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.