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TK100L60W,VQ

Name: Toshiba TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100L60WVQ
Price: 26.06 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

757-TK100L60WVQ

N. produttore:

TK100L60W,VQ

Produttore:

Toshiba

Descrizione:

MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Scheda dati:

TK100L60W,VQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	26,06 €	26,06 €
	19,94 €	199,40 €
	19,19 €	1.919,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Toshiba
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-3PL-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	100 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	15 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.7 V
Qg - Carica del gate:	360 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	797 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	DTMOSIV
Confezione:	Tube
Marchio:	Toshiba
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	125 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	130 ns
Serie:	TK100L60
Quantità colli di fabbrica:	100
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	690 ns
Tipico ritardo di accensione:	230 ns
Peso unità:	7 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.