UCC21750DW

595-UCC21750DW
UCC21750DW

Produttore:

Descrizione:
Gate driver isolati galvanicamente 5.7kVrms +/-10A sin gle-channel isolated A 595-UCC21750DWR

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Fine vita:
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Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:
Imballaggio:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilità:
A magazzino
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Texas Instruments
Categoria prodotto: Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::  
UCC21750
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
985 mW
130 ns
33 ns
27 ns
Tube
Marchio: Texas Instruments
Configurazione: Inverting, Non-Inverting
Sensibili all’umidità: Yes
Numero di driver: 1 Driver
Numero di uscite: 1 Output
Corrente di uscita: 10 A
Tensione di uscita: 33 V
Prodotto: Isolated Gate Drivers
Tipo di prodotto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 40
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.: 33 V
Tensione di alimentazione - Min.: 3 V
Tecnologia: SiC
Peso unità: 754,500 mg
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Attributi selezionati: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Gate driver a canale singolo UCC21750/UCC21750-Q1

Il gate driver a canale singolo UCC21750/UCC21750-Q1 di Texas Instruments è un driver di porta isolato galvanico progettato per MOSFET SiC e IGBT fino a 2121V CC di tensione di funzionamento con funzioni di protezione avanzate. Offre le migliori prestazioni dinamiche del settore e robustezza. UCC21750/UCC21750-Q1 ha una corrente di picco di sorgente e di dissipazione fino a ±10 A. Il lato di ingresso è isolato dal lato di uscita con la tecnologia di isolamento capacitivo SiO2, che supporta una tensione di lavoro fino a 1,5 kVRMS e immunità alle sovratensioni di 12,8 kVPK. Presenta una barriera di isolamento di durata utile superiore a 40 anni, fornisce un basso sfasamento da parte a parte e > 150 V/ns di immunità al rumore di modo comune (CMTI).