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TPS1101DR

Name: Texas Instruments TPS1101DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS1101DR
Price: 1.13 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

595-TPS1101DR

N. produttore:

TPS1101DR

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101D

Scheda dati:

TPS1101DR Scheda dati

Modello ECAD:

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Produttore Codice prodotto:

TPS1101D

Imballaggio:

Tube

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

3,47 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

TPS1101D

Descrizione:

MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	15 V
Id - corrente di drain continua:	2.3 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	90 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	11.25 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	791 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	TW
Tempo di caduta:	5.5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	4.3 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.5 ns
Serie:	TPS1101
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	6.5 ns
Peso unità:	74 mg