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TPS1100D

Name: Texas Instruments TPS1100D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS1100D
Price: 2.57 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
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N. Mouser:

595-TPS1100D

N. produttore:

TPS1100D

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET MOSFET 10ns RT A 595 -TPS1100DR A 595-TP A 595-TPS1100DR

Scheda dati:

TPS1100D Scheda dati

Modello ECAD:

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	2,57 €	2,57 €
	1,20 €	12,00 €
	1,01 €	75,75 €
	0,903 €	474,08 €

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

TPS1100DR

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,86 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

TPS1100DR

Descrizione:

MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1100D

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	15 V
Id - corrente di drain continua:	1.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	180 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	5.45 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	791 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MX
Tempo di caduta:	10 ns
Transconduttanza diretta - Min:	2.5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Serie:	TPS1100
Quantità colli di fabbrica:	75
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	13 ns
Tipico ritardo di accensione:	4.5 ns
Peso unità:	74 mg