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LMG5200MOFR

Name: Texas Instruments LMG5200MOFR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG5200MOFR
Price: 12.62 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-LMG5200MOFR

N. produttore:

LMG5200MOFR

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Driver di porta 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

Scheda dati:

LMG5200MOFR Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	12,62 €	12,62 €
	9,59 €	95,90 €
	9,19 €	229,75 €
	8,10 €	810,00 €
	7,71 €	1.927,50 €
	7,52 €	3.760,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	6,40 €	12.800,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
Prodotto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFM-9
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	10 A
Tensione di alimentazione - Min.:	4.75 V
Tensione di alimentazione - Max.:	5.25 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	LMG5200
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	3 mA
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	15 Ohms
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si
Nome commerciale:	GaN
Peso unità:	2,338 g

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LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Stadio di potenza a mezzo ponte GaN da 80 V LMG5200

Lo stadio di potenza a mezzo ponte GaN da 80 V LMG5200 di Texas Instruments offre una soluzione a stadio di potenza integrato utilizzando FET al nitruro di gallio (GaN) ad arricchimento. Il dispositivo è costituito da due FET GaN da 80 V guidati da un driver FET GaN ad alta frequenza in una configurazione a mezzo ponte. I FET GaN offrono vantaggi significativi per la conversione di potenza, in quanto vantano un recupero inverso quasi nullo e capacità di ingresso C_ISS molto ridotta. Tutti i dispositivi sono montati su una piattaforma con un formato completamente privo di wire-bonding e minimi elementi parassiti del pacchetto stesso. Gli ingressi compatibili di logica TTL possono resistere a tensioni d'ingresso fino a 12 V indipendentemente dalla tensione V_CC. La tecnica brevettata di blocco della tensione di bootstrap assicura che le tensioni di gate dei FET GaN ad arricchimento rientrino in una gamma operativa sicura.

Gallium Nitride (GaN)

Texas Instruments Gallium Nitride (GaN) solutions deliver high efficiency, power density, and reliability. The Texas Instruments GaN portfolio consists of controllers, drivers, and regulators that offer reduced power with end-to-end power conversion and 5MHz switching frequencies.