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LMG3411R070RWHT

Name: Texas Instruments LMG3411R070RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R070RWHT
Price: 17.42 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-LMG3411R070RWHT

N. produttore:

LMG3411R070RWHT

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

Driver di porta 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR

Scheda dati:

LMG3411R070RWHT Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	17,42 €	17,42 €
	13,90 €	139,00 €
	13,02 €	325,50 €
	12,06 €	1.206,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
	11,56 €	2.890,00 €
	11,19 €	5.595,00 €
	11,09 €	11.090,00 €
2.500	Offerta

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	Driver di porta
RoHS::
REACH - SVHC:
Prodotto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-32
Numero di driver:	1 Driver
Numero di uscite:	1 Output
Corrente di uscita:	12 A
Tensione di alimentazione - Min.:	9.5 V
Tensione di alimentazione - Max.:	18 V
Configurazione:	Non-Inverting
Tempo di salita:	2.9 ns
Tempo di caduta:	26 ns
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Serie:	LMG3411R070
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Ritardo di spegnimento massimo:	10 ns
Ritardo di accensione massimo:	12 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Corrente di alimentazione operativa:	43 mA
Tensione di uscita:	5 V
Tipo di prodotto:	Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max:	36 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	70 mOhms
Quantità colli di fabbrica:	250
Sottocategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tecnologia:	Si
Nome commerciale:	GaN
Peso unità:	188,200 mg

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Application Notes

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Stadio di potenza GaN LMG3410R070 600 V 70 mΩ

Lo stadio di potenza GaN LMG3410R070 600 V 70 mΩ di Texas Instruments con driver integrato e protezione offre dei vantaggi rispetto ai MOSFET in silicone. Tra questi vi sono la capacità di ingresso e uscita ultra-bassa. Le caratteristiche includono un recupero inverso pari a zero grazie alla riduzione di perdite di commutazione fino all'80% e un nodo di commutazione basso che riduce l'EMI.