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CSD87588N

Name: Texas Instruments CSD87588N
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87588N
Price: 1.02 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD87588N

N. produttore:

CSD87588N

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET Sync Buck NexFET Pow er Block II A 595-C A 595-CSD87588NT

Scheda dati:

CSD87588N Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,02 €	1,02 €
	0,671 €	6,71 €
	0,556 €	55,60 €
	0,533 €	266,50 €
	0,515 €	515,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,493 €	1.232,50 €
	0,468 €	2.340,00 €
	0,459 €	4.590,00 €
	0,455 €	11.375,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD87588NT

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,36 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD87588NT

Descrizione:

MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87588N

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PTAB-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	25 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10.4 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.9 V
Qg - Carica del gate:	2.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	6 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	6.3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	93 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	36.7 ns
Serie:	CSD87588N
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	20.1 ns
Tipico ritardo di accensione:	12.1 ns
Peso unità:	54,600 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.