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CSD87502Q2

Name: Texas Instruments CSD87502Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87502Q2
Price: 0.43 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD87502Q2

N. produttore:

CSD87502Q2

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

Scheda dati:

CSD87502Q2 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,43 €	0,43 €
	0,269 €	2,69 €
	0,217 €	21,70 €
	0,207 €	103,50 €
	0,195 €	195,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,18 €	540,00 €
	0,176 €	1.056,00 €
	0,171 €	1.539,00 €
	0,17 €	4.080,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD87502Q2T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,90 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD87502Q2T

Descrizione:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WSON-FET-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	35 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.6 V
Qg - Carica del gate:	2.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.3 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	75 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	11 ns
Serie:	CSD87502Q2
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	12 ns
Tipico ritardo di accensione:	3 ns
Peso unità:	9,700 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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