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CSD87501L

Name: Texas Instruments CSD87501L
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87501L
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD87501L

N. produttore:

CSD87501L

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFE A 595-CSD87501LT

Scheda dati:

CSD87501L Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,697 €	0,70 €
	0,45 €	4,50 €
	0,368 €	36,80 €
	0,353 €	176,50 €
	0,34 €	340,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,316 €	948,00 €
	0,308 €	1.848,00 €
	0,298 €	2.682,00 €
	0,289 €	6.936,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD87501LT

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,93 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD87501LT

Descrizione:

MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	BGA-10
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	14 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.3 V
Qg - Carica del gate:	40 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	712 ns, 712 ns
Transconduttanza diretta - Min:	48 S, 48 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	260 ns, 260 ns
Serie:	CSD87501L
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	709 ns, 709 ns
Tipico ritardo di accensione:	164 ns, 164 ns
Peso unità:	3,100 mg

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ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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