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CSD86336Q3D

Name: Texas Instruments CSD86336Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86336Q3D
Price: 1.71 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD86336Q3D

N. produttore:

CSD86336Q3D

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT

Scheda dati:

CSD86336Q3D Scheda dati

Modello ECAD:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,71 €	1,71 €
	1,13 €	11,30 €
	0,759 €	75,90 €
	0,603 €	301,50 €
	0,558 €	558,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,498 €	1.245,00 €
	0,484 €	2.420,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VSON-CLIP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	9.1 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.1 V
Qg - Carica del gate:	3.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	6 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	2 ns
Transconduttanza diretta - Min:	40 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	10 ns
Serie:	CSD86336Q3D
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	7 ns
Tipico ritardo di accensione:	5 ns
Peso unità:	99,500 mg

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Scheda dati

CSD86336Q3D Scheda dati

SPICE Models

CSD863336Q3D PSpice Model (Rev. B)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.