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CSD85301Q2

Name: Texas Instruments CSD85301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85301Q2
Price: 0.73 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD85301Q2

N. produttore:

CSD85301Q2

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T

Scheda dati:

CSD85301Q2 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,731 €	0,73 €
	0,45 €	4,50 €
	0,293 €	29,30 €
	0,229 €	114,50 €
	0,203 €	203,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,158 €	474,00 €
	0,145 €	870,00 €
	0,127 €	1.143,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD85301Q2T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,48 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD85301Q2T

Descrizione:

MOSFET Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WSON-FET-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	8 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	27 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	600 mV
Qg - Carica del gate:	5.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.3 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	15 ns, 15 ns
Transconduttanza diretta - Min:	20 S, 20 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	26 ns, 26 ns
Serie:	CSD85301Q2
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	14 ns, 14 ns
Tipico ritardo di accensione:	6 ns, 6 ns
Peso unità:	9,700 mg

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ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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