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CSD25501F3T

Name: Texas Instruments CSD25501F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3T
Price: 1.2 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD25501F3T

N. produttore:

CSD25501F3T

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET #NAME?

Scheda dati:

CSD25501F3T Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,20 €	1,20 €
	0,558 €	5,58 €
	0,414 €	41,40 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
	0,414 €	103,50 €
	0,329 €	164,50 €
	0,304 €	304,00 €
	0,29 €	725,00 €
	0,287 €	1.435,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD25501F3

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,33 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PICOSTAR-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	3.6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	260 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.05 V
Qg - Carica del gate:	1.02 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	500 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	945 ns
Transconduttanza diretta - Min:	3.4 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	428 ns
Serie:	CSD25501F3
Quantità colli di fabbrica:	250
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	1154 ns
Tipico ritardo di accensione:	474 ns
Peso unità:	0,300 mg

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Attributi selezionati: 0

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Scheda dati

CSD25501F3T Scheda dati

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.