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CSD25485F5T

Name: Texas Instruments CSD25485F5T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25485F5T
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD25485F5T

N. produttore:

CSD25485F5T

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5

Scheda dati:

CSD25485F5T Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,38 €	1,38 €
	0,86 €	8,60 €
	0,575 €	57,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
	0,575 €	143,75 €
	0,454 €	227,00 €
	0,409 €	409,00 €
	0,375 €	937,50 €
	0,339 €	1.695,00 €
	0,329 €	3.290,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD25485F5

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,53 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD25485F5

Descrizione:

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5T

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PICOSTAR-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	3.2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	250 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.3 V
Qg - Carica del gate:	3.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.4 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	PicoStar
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	14 ns
Transconduttanza diretta - Min:	7 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Serie:	CSD25485F5
Quantità colli di fabbrica:	250
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	27 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns
Peso unità:	0,700 mg

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PCN

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SPICE Models

Technical Resources

CSD25485F5 TINA-TI Reference Design

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza FemtoFET

I MOSFET di potenza FemtoFET di Texas Instruments presentano un ingombro ultra ridotto (dimensione involucro 0402) con resistenza ultra-bassa (il 70% in meno rispetto alla concorrenza). Questi MOSFET comprendono specifiche di Qg e Qgd ultrabassi e hanno un livello ESD ottimizzato. Sono disponibili in un package a matrice a griglia di terra (land grid array, LGA). Questo package massimizza il contenuto di silicio, caratteristica che lo rende ideale per applicazioni con limitazioni di spazio. Questi MOSFET di potenza presentano una bassa dissipazione del calore e basse perdite di commutazione per prestazioni migliorate con carichi leggeri. Le applicazioni tipiche per questi dispositivi comprendono telefoni cellulari, dispositivi palmari, interruttori di carico, interruttori per uso generico e applicazioni con batterie.
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