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CSD25481F4T

Name: Texas Instruments CSD25481F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25481F4T
Price: 0.98 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD25481F4T

N. produttore:

CSD25481F4T

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 20V PCh FemtoFET MO SFET A 595-CSD25481F A 595-CSD25481F4

Scheda dati:

CSD25481F4T Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,989 €	0,99 €
	0,667 €	6,67 €
	0,358 €	35,80 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
	0,358 €	89,50 €
	0,317 €	158,50 €
	0,302 €	302,00 €
	0,295 €	737,50 €
	0,287 €	1.435,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD25481F4

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,36 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD25481F4

Descrizione:

MOSFET P-CH Pwr MOSFET 20V 90mohm A 595-CSD2548 A 595-CSD25481F4T

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PICOSTAR-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	2.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	800 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	950 mV
Qg - Carica del gate:	913 pC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	500 mW
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	FemtoFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6.7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	3.3 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3.6 ns
Serie:	CSD25481F4
Quantità colli di fabbrica:	250
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	16.9 ns
Tipico ritardo di accensione:	4.1 ns
Peso unità:	0,400 mg

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Scheda dati

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Images

Function Diagram

PCN

SPICE Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza FemtoFET

I MOSFET di potenza FemtoFET di Texas Instruments presentano un ingombro ultra ridotto (dimensione involucro 0402) con resistenza ultra-bassa (il 70% in meno rispetto alla concorrenza). Questi MOSFET comprendono specifiche di Qg e Qgd ultrabassi e hanno un livello ESD ottimizzato. Sono disponibili in un package a matrice a griglia di terra (land grid array, LGA). Questo package massimizza il contenuto di silicio, caratteristica che lo rende ideale per applicazioni con limitazioni di spazio. Questi MOSFET di potenza presentano una bassa dissipazione del calore e basse perdite di commutazione per prestazioni migliorate con carichi leggeri. Le applicazioni tipiche per questi dispositivi comprendono telefoni cellulari, dispositivi palmari, interruttori di carico, interruttori per uso generico e applicazioni con batterie.
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