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CSD25310Q2T

Name: Texas Instruments CSD25310Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2T
Price: 0.47 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD25310Q2T

N. produttore:

CSD25310Q2T

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2

Scheda dati:

CSD25310Q2T Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,473 €	0,47 €
	0,406 €	4,06 €
	0,378 €	37,80 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
	0,378 €	94,50 €
	0,376 €	188,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD25310Q2

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,48 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD25310Q2

Descrizione:

MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	WSON-6
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	20 V
Id - corrente di drain continua:	20 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	19.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.1 V
Qg - Carica del gate:	4.7 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.9 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	34 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	15 ns
Serie:	CSD25310Q2
Quantità colli di fabbrica:	250
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns
Tipico ritardo di accensione:	8 ns
Peso unità:	6 mg

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PCN

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.