Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

CSD23202W10

Name: Texas Instruments CSD23202W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23202W10
Price: 0.53 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

595-CSD23202W10

N. produttore:

CSD23202W10

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

Scheda dati:

CSD23202W10 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Texas Instruments CSD23202W10

A magazzino: 3.912

A magazzino:: 3.912 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 6 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,533 €	0,53 €
	0,332 €	3,32 €
	0,212 €	21,20 €
	0,161 €	80,50 €
	0,142 €	142,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,122 €	366,00 €
	0,111 €	666,00 €
	0,095 €	855,00 €
	0,092 €	2.208,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD23202W10T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,33 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD23202W10T

Descrizione:

MOSFET 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

Confronta con la parte attuale

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DSBGA-4
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	12 V
Id - corrente di drain continua:	2.2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	92 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	900 mV
Qg - Carica del gate:	3.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	21 ns
Transconduttanza diretta - Min:	5.6 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4 ns
Serie:	CSD23202W10
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	58 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Peso unità:	200 mg

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
Maggiori informazioni