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CSD19537Q3

Name: Texas Instruments CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19537Q3
Price: 1.27 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD19537Q3

N. produttore:

CSD19537Q3

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

Scheda dati:

CSD19537Q3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo esteso:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,27 €	1,27 €
	0,877 €	8,77 €
	0,58 €	58,00 €
	0,507 €	253,50 €
	0,464 €	464,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,416 €	1.040,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD19537Q3T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,84 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD19537Q3T

Descrizione:

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VSON-CLIP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	14.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.6 V
Qg - Carica del gate:	16 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	83 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3 ns
Serie:	CSD19537Q3
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	10 ns
Tipico ritardo di accensione:	5 ns
Peso unità:	24 mg

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Scheda dati

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Models

CSD19537Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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CSD19537Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments CSD19537Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFETs are a 100V 12.1mΩ N-Channel NexFET™ power MOSFET that is designed to minimize losses in power conversion applications. This MOSFET features an ultra-low Qg and Qgd with low thermal resistance. It is also avalanche rated and comes in Pb-Free, halogen free RoHS complant SON-8 3.3mmx3.3mm plastic package. Typical applications include primary side isolated converters and motor control.
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