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CSD19536KCS

Name: Texas Instruments CSD19536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KCS
Price: 4.6 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

595-CSD19536KCS

N. produttore:

CSD19536KCS

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

Scheda dati:

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Modello ECAD:

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	2,69 €	269,00 €
	2,30 €	1.150,00 €
	2,24 €	2.240,00 €
	2,12 €	5.300,00 €
	2,09 €	10.450,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	259 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.7 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.1 V
Qg - Carica del gate:	118 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	375 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Tube
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Transconduttanza diretta - Min:	307 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns
Serie:	CSD19536KCS
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	38 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns
Peso unità:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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