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CSD18536KCS

Name: Texas Instruments CSD18536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18536KCS
Price: 4.5 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD18536KCS

N. produttore:

CSD18536KCS

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Scheda dati:

CSD18536KCS Scheda dati

Modello ECAD:

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A magazzino: 546

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	2,35 €	23,50 €
	2,34 €	234,00 €
	2,12 €	1.060,00 €
	1,92 €	1.920,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	349 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.4 V
Qg - Carica del gate:	108 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	375 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Tube
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	CN
Paese di diffusione:	CN
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	312 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5 ns
Serie:	CSD18536KCS
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	24 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns
Peso unità:	2 g