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CSD18535KCS

Name: Texas Instruments CSD18535KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18535KCS
Price: 3.3 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

595-CSD18535KCS

N. produttore:

CSD18535KCS

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Scheda dati:

CSD18535KCS Scheda dati

Modello ECAD:

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	1,51 €	151,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	279 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.4 V
Qg - Carica del gate:	63 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Tube
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	263 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3 ns
Serie:	CSD18535KCS
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	19 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns
Peso unità:	2 g