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CSD18531Q5A

Name: Texas Instruments CSD18531Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18531Q5A
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD18531Q5A

N. produttore:

CSD18531Q5A

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT

Scheda dati:

CSD18531Q5A Scheda dati

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,80 €	1,80 €
	1,15 €	11,50 €
	0,777 €	77,70 €
	0,617 €	308,50 €
	0,575 €	575,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,547 €	1.367,50 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD18531Q5AT

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

2,41 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD18531Q5AT

Descrizione:

MOSFET 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5A

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VSONP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	100 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	36 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	156 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	CN
Paese di diffusione:	CN
Paese di origine:	CN
Kit di sviluppo:	DRV8711EVM
Tempo di caduta:	2.7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7.8 ns
Serie:	CSD18531Q5A
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	20 ns
Tipico ritardo di accensione:	4.4 ns
Peso unità:	87,800 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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