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CSD18512Q5B

Name: Texas Instruments CSD18512Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18512Q5B
Price: 2.11 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD18512Q5B

N. produttore:

CSD18512Q5B

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT

Scheda dati:

CSD18512Q5B Scheda dati

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-,-- €

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-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,11 €	2,11 €
	1,35 €	13,50 €
	0,92 €	92,00 €
	0,752 €	376,00 €
	0,699 €	699,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,615 €	1.537,50 €
	0,595 €	2.975,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD18512Q5BT

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

2,45 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD18512Q5BT

Descrizione:

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VSON-CLIP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	100 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.3 V
Qg - Carica del gate:	98 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	139 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7 ns
Transconduttanza diretta - Min:	136 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	16 ns
Serie:	CSD18512Q5B
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	31 ns
Tipico ritardo di accensione:	7 ns
Peso unità:	115,700 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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