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CSD18502KCS

Name: Texas Instruments CSD18502KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18502KCS
Price: 2.77 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD18502KCS

N. produttore:

CSD18502KCS

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 40-V N-Chanel NxFT P wr MOSFET

Scheda dati:

CSD18502KCS Scheda dati

Modello ECAD:

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	1,27 €	127,00 €
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	0,912 €	912,00 €
	0,906 €	2.265,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	212 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.9 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.5 V
Qg - Carica del gate:	52 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	259 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Tube
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9.3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	138 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	7.3 ns
Serie:	CSD18502KCS
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	33 ns
Tipico ritardo di accensione:	11 ns
Peso unità:	2 g

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

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