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CSD17483F4

Name: Texas Instruments CSD17483F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17483F4
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD17483F4

N. produttore:

CSD17483F4

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A A 595-CSD17483F4T

Scheda dati:

CSD17483F4 Scheda dati

Modello ECAD:

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A magazzino: 13.005

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,203 €	2,03 €
	0,128 €	12,80 €
	0,095 €	47,50 €
	0,084 €	84,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,071 €	213,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD17483F4T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,19 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD17483F4T

Descrizione:

MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PICOSTAR-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	1.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	240 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	650 mV
Qg - Carica del gate:	1.01 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	500 mW
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	FemtoFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	3.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	2.4 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	1.3 ns
Serie:	CSD17483F4
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	10.6 ns
Tipico ritardo di accensione:	3.3 ns
Peso unità:	0,400 mg

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CSD17483F4 Scheda dati

Images

Function Diagram

PCN

SPICE Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET FemtoFET CSD17483F4

La tecnologia MOSFET FemtoFET di Texas Instruments è pensata e ottimizzata per ridurre al minimo l'ingombro di molte applicazioni mobili e palmari. Questa tecnologia è in grado di sostituire i MOSFET dei piccoli segnali standard fornendo nel contempo almeno una riduzione del 60% nelle dimensioni di ingombro.
Maggiori informazioni

MOSFET di potenza FemtoFET

I MOSFET di potenza FemtoFET di Texas Instruments presentano un ingombro ultra ridotto (dimensione involucro 0402) con resistenza ultra-bassa (il 70% in meno rispetto alla concorrenza). Questi MOSFET comprendono specifiche di Qg e Qgd ultrabassi e hanno un livello ESD ottimizzato. Sono disponibili in un package a matrice a griglia di terra (land grid array, LGA). Questo package massimizza il contenuto di silicio, caratteristica che lo rende ideale per applicazioni con limitazioni di spazio. Questi MOSFET di potenza presentano una bassa dissipazione del calore e basse perdite di commutazione per prestazioni migliorate con carichi leggeri. Le applicazioni tipiche per questi dispositivi comprendono telefoni cellulari, dispositivi palmari, interruttori di carico, interruttori per uso generico e applicazioni con batterie.
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