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CSD17381F4

Name: Texas Instruments CSD17381F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17381F4
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD17381F4

N. produttore:

CSD17381F4

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

Scheda dati:

CSD17381F4 Scheda dati

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,344 €	0,34 €
	0,213 €	2,13 €
	0,134 €	13,40 €
	0,101 €	50,50 €
	0,088 €	88,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,075 €	225,00 €
	0,066 €	396,00 €
	0,057 €	513,00 €
	0,056 €	1.344,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD17381F4T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,20 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD17381F4T

Descrizione:

MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PICOSTAR-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	3.1 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	109 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	650 mV
Qg - Carica del gate:	1.04 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	500 mW
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Kit di sviluppo:	CSD1FNCHEVM-889
Tempo di caduta:	3.6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	4.8 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	1.4 ns
Serie:	CSD17381F4
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	10.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	3.4 ns
Peso unità:	0,400 mg

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SPICE Models

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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MOSFET di potenza FemtoFET

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