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CSD17308Q3

Name: Texas Instruments CSD17308Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17308Q3
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD17308Q3

N. produttore:

CSD17308Q3

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T

Scheda dati:

CSD17308Q3 Scheda dati

Modello ECAD:

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,15 €	1,15 €
	0,727 €	7,27 €
	0,482 €	48,20 €
	0,376 €	188,00 €
	0,341 €	341,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,311 €	777,50 €
	0,276 €	1.380,00 €
	0,27 €	2.700,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD17308Q3T

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,46 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD17308Q3T

Descrizione:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VSON-CLIP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	900 mV
Qg - Carica del gate:	3.9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	28 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Kit di sviluppo:	BQ500211AEVM-210
Tempo di caduta:	2.3 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	5.7 ns
Serie:	CSD17308Q3
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	9.9 ns
Tipico ritardo di accensione:	4.5 ns
Peso unità:	41 mg

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Scheda dati

CSD17308Q3 Scheda dati

Models

CSD17308Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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