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CSD16327Q3T

Name: Texas Instruments CSD16327Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16327Q3T
Price: 1.33 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

595-CSD16327Q3T

N. produttore:

CSD16327Q3T

Produttore:

Texas Instruments

Descrizione:

MOSFET 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

Scheda dati:

CSD16327Q3T Scheda dati

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,33 €	1,33 €
	1,03 €	10,30 €
	0,608 €	60,80 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
	0,608 €	152,00 €
	0,519 €	259,50 €
	0,491 €	491,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

CSD16327Q3

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,43 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Texas Instruments

N. produttore:

CSD16327Q3

Descrizione:

MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD163 A 595-CSD16327Q3T

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Texas Instruments
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	VSON-CLIP-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	60 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.4 V
Qg - Carica del gate:	8.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	74 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	NexFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Texas Instruments
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6.3 ns
Transconduttanza diretta - Min:	96 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	15 ns
Serie:	CSD16327Q3
Quantità colli di fabbrica:	250
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	13 ns
Tipico ritardo di accensione:	5.3 ns
Peso unità:	44,500 mg

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Application Notes

Models

CSD16327Q3T Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
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