BQ500101DPCT

Texas Instruments
595-BQ500101DPCT
BQ500101DPCT

Produttore:

Descrizione:
CI per caricamento wireless NexFET Power Stage A 595-BQ500101DPCR A A 595-BQ500101DPCR

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 926

A magazzino:
926
Spedizione immediata
In ordine:
4.250
10/04/2026 previsto
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
18
settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™
1,88 € 1,88 €
1,38 € 13,80 €
1,26 € 31,50 €
1,13 € 113,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 250)
0,989 € 247,25 €
0,98 € 490,00 €
0,963 € 963,00 €
0,937 € 2.342,50 €
0,92 € 4.600,00 €
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso.

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:
Imballaggio:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilità:
A magazzino
Prezzo:
1,62 €
Min:
1

Prodotto analogo

Texas Instruments BQ500101DPCR
Texas Instruments
CI per caricamento wireless NexFET Power Stage 8 -VSON-CLIP -40 to 1 A 595-BQ500101DPCT

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Texas Instruments
Categoria prodotto: CI per caricamento wireless
RoHS::  
REACH - SVHC:
WPC 1.2
Transmitters
10 A
24 V
2 mA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Texas Instruments
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: PH
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: Wireless Charging ICs
Serie: BQ500101
Quantità colli di fabbrica: 250
Sottocategoria: Wireless Charging
Nome commerciale: NexFET
Peso unità: 50,300 mg
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:
8542319000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza NexFET™ Texas Instruments

I MOSFET di potenza NexFET™ forniscono metà della carica del gate per la stessa resistenza: in questo modo i progettisti possono ottenere il 90% di efficienza di alimentazione con il doppio della frequenza. I MOSFET di potenza NexFET TI combinano il flusso di corrente verticale con un MOSFET di potenza laterale. Questi dispositivi forniscono resistenza in conduzione bassa e richiedono una carica del gate estremamente bassa con strutture dei pacchetti standard del settore. Questa combinazione non era possibile in precedenza con le piattaforme esistenti in silicone. La tecnologia a MOSFET di potenza NexFET TI consente di migliorare, in termini di efficienza energetica, componenti informatici, reti, sistemi di server e alimentatori ad alta potenza.
Maggiori informazioni

NexFET Power Stage ICs

Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the device. This feature delivers higher efficiency in a typical high-current POL design. With ultra-low Qg and Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitors' devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a reduction in size by up to 1/2 for the output filter (caps and inductor). These devices come with a unique ground pad leadframe and pinout, simplifying the customer's layout and improving operating and thermal performance. The Texas Instruments NexFET Power Stage ICs are offered in smaller packages versus typical discrete solutions, which saves board space.