S34ML04G300TFI000

SkyHigh Memory
727-04G300TFI000
S34ML04G300TFI000

Produttore:

Descrizione:
NAND Flash SLC,4Gb,1x,3V,x8,1bit,TS48,

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 62

A magazzino:
62 Spedizione immediata
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
22 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.
Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
4,45 € 4,45 €
4,09 € 40,90 €
3,97 € 99,25 €
3,88 € 194,00 €
3,78 € 362,88 €

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
SkyHigh Memory
Categoria prodotto: NAND Flash
RoHS::  
SMD/SMT
TSOP-I-48
S34ML04G3
4 Gbit
Parallel
512 M x 8
Asynchronous
8 bit
2.7 V
3.6 V
35 mA
- 40 C
+ 85 C
Tray
Lettura corrente attiva - Massima: 35 mA
Marchio: SkyHigh Memory
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: NAND Flash
Quantità colli di fabbrica: 96
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory

SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support, and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid-state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.