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STWA65N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STWA65N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA65N65DM2AG
Price: 8.64 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STWA65N65DM2AG

N. produttore:

STWA65N65DM2AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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Scheda dati:

STWA65N65DM2AG Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	8,64 €	8,64 €
	5,95 €	59,50 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	60 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	50 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	120 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	446 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	11.5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	13.5 ns
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	114 ns
Tipico ritardo di accensione:	33 ns
Peso unità:	6 g