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STWA48N60M2

Name: STMicroelectronics STWA48N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA48N60M2
Price: 6.72 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STWA48N60M2

N. produttore:

STWA48N60M2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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Scheda dati:

STWA48N60M2 Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,72 €	6,72 €
	4,74 €	47,40 €
	3,95 €	395,00 €
	3,29 €	1.974,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	42 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	70 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	70 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	119 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	17 ns
Serie:	STWA48N60M2
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	13 ns
Tipico ritardo di accensione:	18.5 ns
Peso unità:	6 g

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Scheda dati

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza MDmesh™ II

I MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh™ II associano una struttura verticale alla disposizione a striscia degli STM per ottenere uno dei più bassi valori di resistenza in conduzione e carica del gate nel settore, caratteristica che li rende idonei ai più esigenti convertitori ad alta efficienza. Questi MOSFET di potenza MDmesh™ II sono totalmente isolati, hanno un integrato di profilo basso, con una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore. Sono testati al 100% con il metodo avalanche e presentano bassi valori di capacitanza in entrata, carica del gate e resistenza in entrata al gate.
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