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STW75N60M6-4

Name: STMicroelectronics STW75N60M6-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW75N60M6-4
Price: 5.14 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STW75N60M6-4

N. produttore:

STW75N60M6-4

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Scheda dati:

STW75N60M6-4 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	72 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	36 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.25 V
Qg - Carica del gate:	106 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	446 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	SG
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M6
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N Channel
Peso unità:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Q_g), very low recovery charge (Q_rr), low recovery time (t_rr), and an excellent R_DS(on) per area.