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STU3N65M6

Name: STMicroelectronics STU3N65M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU3N65M6
Price: 1.59 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STU3N65M6

N. produttore:

STU3N65M6

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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Ciclo di vita:

NRND:

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Scheda dati:

STU3N65M6 Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,59 €	1,59 €
	1,01 €	10,10 €
	0,672 €	67,20 €
	0,55 €	275,00 €
	0,482 €	482,00 €
	0,438 €	1.314,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-251-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	3.5 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.5 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.25 V
Qg - Carica del gate:	6 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	45 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M6
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	340 mg

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Scheda dati

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PCN

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

I MOSFET M6 MDmesh™ di STMicroelectronics combinano una bassa carica del gate (Q_g) con un profilo di capacità ottimizzato per ottenere un'efficienza elevata su nuove topologie nelle applicazioni di conversione di potenza. La serie M6 MDmesh con super-junction offre prestazioni dall'efficienza estremamente elevata che si traducono in una maggiore densità di potenza e una bassa carica del gate per frequenze elevate. I MOSFET serie M6 hanno una tensione di rottura compresa tra 600 e 700 V e sono disponibili in una vasta gamma di opzioni di imballaggio tra cui una soluzione di package TO-Leadless (TO-LL) che consente un'efficiente gestione termica. I dispositivi includono una vasta gamma di tensioni operative per applicazioni industriali come caricabatterie, adattatori, moduli in scatola argento, illuminazione LED, telecomunicazioni, server e l'industria del solare.