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STQ2HNK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2HNK60ZR-AP
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STQ2HNK60ZR-AP

N. produttore:

STQ2HNK60ZR-AP

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

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Scheda dati:

STQ2HNK60ZR-AP Scheda dati (PDF)

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-,-- €

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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,14 €	1,14 €
	0,726 €	7,26 €
	0,481 €	48,10 €
	0,382 €	191,00 €
	0,341 €	341,00 €
Confezione tipo pacco munizioni completa (ordinare in multipli di 2000)
	0,295 €	590,00 €
	0,277 €	1.108,00 €
	0,27 €	2.700,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-92-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	500 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.8 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	15 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	3 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SuperMESH
Confezione:	Ammo Pack
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	50 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	30 ns
Serie:	STQ2HNK60ZR-AP
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	13 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns
Peso unità:	453,600 mg