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STPSC4H065DLF

Name: STMicroelectronics STPSC4H065DLF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC4H065DLF
Price: 2.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STPSC4H065DLF

N. produttore:

STPSC4H065DLF

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

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Scheda dati:

STPSC4H065DLF Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,40 €	2,40 €
	1,80 €	18,00 €
	1,26 €	126,00 €
	1,05 €	525,00 €
	0,98 €	980,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,98 €	2.940,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-5
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	4 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	650 V
Vf - Tensione diretta:	1.38 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	38 A
Ir - Corrente inversa:	3 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensione inversa:	650 V
Peso unità:	170 mg

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Scheda dati

STPSC4H065DLF Scheda dati (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodi Schottky al carburo di silicio STPSC 650 V

I diodi Schottky al carburo di silicio STPSC 650 V di STMicroelectronics sono diodi Schottky ad altissime prestazioni di potenza. L’ampio materiale di banda proibita consente la progettazione di una struttura di diodi Schottky con un valore nominale di 650 V. Grazie alla costruzione Schottky, non viene mostrato alcun recupero allo spegnimento e i modelli di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento di spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Questi dispositivi sono particolarmente adatti per l'uso in applicazioni PFC e incrementeranno le prestazioni in condizioni di hard-switching. L’elevata capacità di sovratensione diretta garantisce una buona robustezza durante le fasi transitorie.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.