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STPSC406B-TR

Name: STMicroelectronics STPSC406B-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC406B-TR
Price: 2.16 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STPSC406B-TR

N. produttore:

STPSC406B-TR

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

Diodi Schottky SiC 600 V Power Schottky Diode

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Ciclo di vita:

NRND:

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Scheda dati:

STPSC406B-TR Scheda dati (PDF)

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,16 €	2,16 €
	1,38 €	13,80 €
	0,955 €	95,50 €
	0,762 €	381,00 €
	0,741 €	741,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,641 €	1.602,50 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	4 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	600 V
Vf - Tensione diretta:	1.9 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	14 A
Ir - Corrente inversa:	50 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Peso unità:	1,700 g

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Scheda dati

STPSC406B-TR Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541100901
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.