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STP35N60DM2

Name: STMicroelectronics STP35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP35N60DM2
Price: 3.96 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-STP35N60DM2

N. produttore:

STP35N60DM2

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Scheda dati:

STP35N60DM2 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	28 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	110 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	54 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	210 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	SG
Tempo di caduta:	10.7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	17 ns
Serie:	STP35N60DM2
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	68 ns
Tipico ritardo di accensione:	21.2 ns
Peso unità:	2 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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