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STP200N3LL

Name: STMicroelectronics STP200N3LL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP200N3LL
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STP200N3LL

N. produttore:

STP200N3LL

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Scheda dati:

STP200N3LL Scheda dati (PDF)

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,75 €	1,75 €
	0,92 €	9,20 €
	0,805 €	80,50 €
	0,71 €	355,00 €
	0,652 €	652,00 €
	0,493 €	986,00 €
	0,464 €	2.320,00 €
	0,461 €	4.610,00 €
	0,459 €	11.475,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	30 V
Id - corrente di drain continua:	120 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.15 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	53 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	176.5 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	108 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	183 ns
Serie:	STP200N3LL
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	90 ns
Tipico ritardo di accensione:	18 ns
Peso unità:	2 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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