STP16NM50N

STMicroelectronics
511-STP16NM50N
STP16NM50N

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N Ch 600V 7A Pwr MESH IGBT
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Ciclo di vita:
Obsoleto
Scheda dati:
Modello ECAD:
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
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RoHS::  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
15 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 16 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 15 ns
Serie: STB16N
Quantità colli di fabbrica: 50
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 60 ns
Tipico ritardo di accensione: 20 ns
Peso unità: 2 g
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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