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STO60N045DM9

Name: STMicroelectronics STO60N045DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO60N045DM9
Price: 8.1 EUR
Availability: OutOfStock

N. Mouser:

511-STO60N045DM9

N. produttore:

STO60N045DM9

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	STMicroelectronics
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	Not Available
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	MDmesh DM9
Quantità colli di fabbrica:	1800
Sottocategoria:	Transistors

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TARIC:: 8541290000

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate. Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.

MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9

Il MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9 di STMicroelectronics è progettato per MOSFET di media/alta tensione con R_DS(on)molto bassa per area accoppiato a un diodo a recupero rapido. Il dispositivo implementa l'innovativa tecnologia super-junction MDmesh DM9 che offre un processo di produzione multi-drain che consente una struttura del dispositivo potenziata.