STL92N10F7AG

STMicroelectronics
511-STL92N10F7AG
STL92N10F7AG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET

Modello ECAD:
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0,612 € 3.672,00 €
0,611 € 5.499,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
100 V
16 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
45 nC
- 55 C
+ 175 C
5 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 13 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 32 ns
Serie: STL92N10F7AG
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 36 ns
Tipico ritardo di accensione: 19 ns
Peso unità: 76 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa RDS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di RDS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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