Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

STL8N6LF6AG

Name: STMicroelectronics STL8N6LF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8N6LF6AG
Price: 0.4 EUR
Availability: OutOfStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

511-STL8N6LF6AG

N. produttore:

STL8N6LF6AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFET in

Completa il tuo progetto

Scheda dati:

STL8N6LF6AG Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su STMicroelectronics STL8N6LF6AG

Disponibilità

A magazzino:: Non disponibile a magazzino

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 26 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica.

Lunghi tempi di consegna per questo prodotto.

Immetti la quantità:

Minimo: 3000 Multipli: 3000

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,409 €	1.227,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-5x6-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	32 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	21 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	27 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	55 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	20 ns
Serie:	STL8N6LF6AG
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	56 ns
Tipico ritardo di accensione:	9.6 ns
Peso unità:	76 mg

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

STL8N6LF6AG Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
Maggiori informazioni