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STL8DN6LF6AG

Name: STMicroelectronics STL8DN6LF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8DN6LF6AG
Price: 1.56 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STL8DN6LF6AG

N. produttore:

STL8DN6LF6AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE

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Scheda dati:

STL8DN6LF6AG Scheda dati (PDF)

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Prezzo esteso:

-,-- €

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,56 €	1,56 €
	0,989 €	9,89 €
	0,662 €	66,20 €
	0,535 €	267,50 €
	0,476 €	476,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,408 €	1.224,00 €
	0,396 €	2.376,00 €
	0,392 €	3.528,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-5x6-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	32 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	31 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1 V
Qg - Carica del gate:	27 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	55 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	7 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	20 ns
Serie:	STL8DN6LF6AG
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	56 ns
Tipico ritardo di accensione:	9.6 ns
Peso unità:	76 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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