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STL125N8F7AG

Name: STMicroelectronics STL125N8F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL125N8F7AG
Price: 2.68 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STL125N8F7AG

N. produttore:

STL125N8F7AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

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Scheda dati:

STL125N8F7AG Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,68 €	2,68 €
	1,75 €	17,50 €
	1,21 €	121,00 €
	1,02 €	510,00 €
	0,998 €	998,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,862 €	2.586,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-5x6-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	120 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	76 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	167 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	23 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	39 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	47 ns
Tipico ritardo di accensione:	23 ns
Peso unità:	76 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.