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STH60N099DM9-2AG

Name: STMicroelectronics STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH60N099DM9-2AG
Price: 4.99 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STH60N099DM9-2AG

N. produttore:

STH60N099DM9-2AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Scheda dati:

STH60N099DM9-2AG Scheda dati (PDF)

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Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	4,99 €	4,99 €
	3,48 €	34,80 €
	2,82 €	282,00 €
	2,50 €	1.250,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	2,14 €	2.140,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H2PAK-2
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	27 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	99 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	44 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	179 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns
Serie:	MDmesh DM9
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	58 ns
Tipico ritardo di accensione:	18 ns
Peso unità:	1,490 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza MDmesh™ M9

I MOSFET di potenza MDmesh™ M9 di STMicroelectronics sono caratterizzati da una struttura migliorata, bassa resistenza ON e bassi valori di carica di gate. Questi MOSFET di potenza offrono un'elevata robustezza del diodo inverso dv/dt e del MOSFET dv/dt, un'elevata densità di potenza e basse perdite di conduzione. I MOSFET di potenza MDmesh M9 offrono anche alta velocità di commutazione, alta efficienza e basse perdite di potenza di commutazione. Questi MOSFET di potenza sono progettati con un'innovativa tecnologia di super-giunzione ad alta tensione che fornisce una cifra di merito (FoM) eccezionale. L'alto FoM consente livelli di potenza e densità più elevati per soluzioni più compatte. Le applicazioni tipiche includono server, data center di telecomunicazione, stazioni di alimentazione 5G, microinverter e caricabatterie rapidi.

MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9

Il MOSFET di potenza STP60N043DM9 MDmesh DM9 di STMicroelectronics è progettato per MOSFET di media/alta tensione con R_DS(on)molto bassa per area accoppiato a un diodo a recupero rapido. Il dispositivo implementa l'innovativa tecnologia super-junction MDmesh DM9 che offre un processo di produzione multi-drain che consente una struttura del dispositivo potenziata.